Framleiðandi Vöru númer:
BSP297 E6327
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
BSP297 E6327-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Birgðir:
12798819
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BSP297 E6327 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
SIPMOS®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
660mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 400µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
16.1 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
357 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1.8W (Ta)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-SOT223-4
Pakki / hulstur
TO-261-4, TO-261AA
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
BSP297E6327
BSP297E6327T
BSP297 E6327-DG
SP000011108
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
BSP297H6327XTSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
7629
HLUTARNÁMR
BSP297H6327XTSA1-DG
Einingaverð
0.30
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
Partanúmer
STN4NF20L
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
7369
HLUTARNÁMR
STN4NF20L-DG
Einingaverð
0.21
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STN1NF20
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
9182
HLUTARNÁMR
STN1NF20-DG
Einingaverð
0.24
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
BSS159NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
BSC066N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
BSP320SL6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
